壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,自有工廠
老化失效,這是指電阻體的低阻線性化逐步加劇,漏電流惡性增加且集中流入薄弱點(diǎn),薄弱點(diǎn)材料融化,形成1k?左右的短路孔后,電源繼續(xù)推動(dòng)一個(gè)較大的電流灌入短路點(diǎn),形成高熱而起火。這種事故通常可以通過一個(gè)與壓敏電阻串聯(lián)的熱熔接點(diǎn)來避免。熱熔接點(diǎn)應(yīng)與電阻體有良好的熱耦合,當(dāng)沖擊電流流過時(shí)不會(huì)斷開,但當(dāng)溫度超過電阻體上限工作溫度時(shí)即斷開。研究結(jié)果表明, 若壓敏電阻存在著制造缺陷,易發(fā)生早期失效, 強(qiáng)度不大的電沖擊的多次作用,也會(huì)加速老化過程,使老化失效提早出現(xiàn)。

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合理的配方和工藝是控制材料的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu),獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關(guān)鍵。而ZnO壓敏陶瓷實(shí)驗(yàn)配方的設(shè)計(jì)是晶粒能否低壓化的關(guān)鍵技術(shù)之一,各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性,進(jìn)而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對(duì)本征缺陷,尤其是對(duì)氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中,影響燒結(jié)時(shí)晶粒的生長(zhǎng)、液相在冷卻時(shí)的去潤(rùn)濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止,人們對(duì)低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作,得到了許多有價(jià)值的結(jié)果,如Co、Mn
、Sb等可改善非線性指數(shù),Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界,Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性,而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主),Sb及Si可抑制晶粒生長(zhǎng),Be、Ti、Sn則可促進(jìn)晶粒生長(zhǎng)。

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